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       公司新聞 
      ?IGBT模塊的損耗特性
      發布時間： 2024-04-12 17:45 更新時間： 2024-12-02 08:00
      IGBT模塊的損耗特性





      IGBT元件的損耗總和分為：通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。另外，內置續流二極管的損耗為導通損耗與關斷（反向恢復）損耗(ERR)之和。EON、EOFF、ERR與開關頻率的乘積為平均損耗。
      IGBT的損耗：
      圖片續流二極管的反向恢復損耗：圖片反向恢復損耗 ERR開關特性的測試：圖片PDMB100B12開通損耗EON測量范例：圖片PDMB100B12關斷損耗EOFF測量范例：圖片1200V B系列開通損耗 EON （Tj= 125℃），有關門極系列阻抗RG請參閱技術規格。圖片1200V B系列關斷損耗 Eoff (Tj=125C)，有關門極系列阻抗RG請參閱技術規格。圖片1200V B系列續流二極管反向恢復損耗 ERR（Tj= 125℃），有關門極系列阻抗RG請參閱技術規格。圖片1200V B系列ERR對門極串聯電阻RG依存性（Tj= 125℃）圖片

      

      

      

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